1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導(dǎo)通電阻低; ◆開(kāi)關(guān)速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導(dǎo)) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態(tài)壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù); ◆軟開(kāi)通特性,開(kāi)通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導(dǎo)通損耗??; ◆關(guān)斷拖尾電流小,軟關(guān)斷特性; ◆正溫度系數(shù),適合并聯(lián); ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗?。?br> ◆TVj max 達(dá)175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術(shù); ◆軟開(kāi)通特性,開(kāi)通 di/dt 小,EMI 低; ◆關(guān)速度快,關(guān)損耗小 ◆關(guān)斷拖尾電流小,軟關(guān)斷特性; ◆正溫度系數(shù),適合并聯(lián); ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗?。?br> ◆TVj max 達(dá)175℃; 了解更多
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